wafer / COC 激光去除
| 波长 | 266 / 355 nm |
|---|---|
| 适配芯片尺寸 | 5—150 μm |
| 固定光路 | ±1 μm · 2.5K/H |
| 振镜光路 | ±3 μm · 720K/H |
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EQUIPMENT OVERVIEW
覆盖主制程与
修复闭环
MicroLED 激光设备围绕剥离、转移、焊接和缺陷修复持续迭代。设备能力直接对应芯片尺寸缩小、阵列数量增加、基板幅面扩大及量产节拍提升等实际需求。
- 01
- 激光剥离GaN 外延层分离
- 02
- 巨量转移分选、精度与效率
- 03
- 巨量焊接低热适配与大尺寸
- 04
- 激光修复去除、补位与焊接
01 · LASER LIFT-OFF
激光剥离
分解 GaN 外延层，将百万级数量的 MicroLED 芯片剥离到临时基板。
利用材料带隙差异
实现外延层分离
采用光子能量大于 GaN 带隙、小于蓝宝石带隙的脉冲激光辐射蓝宝石衬底，使 GaN 在 900℃—1000℃范围内热分解，实现 GaN 外延层和蓝宝石衬底分离。
- 准分子方案
- 方形大光斑 + 平台移动
- 固体激光方案
- 点光斑 + 振镜扫描
02 · MASS TRANSFER
激光巨量转移
将百万级数量的 MicroLED 芯片转移至承接基板，解决波长一致性、精度良率与量产效率问题。
可分选、高精度
兼顾量产效率
支持分 BIN / 混 BIN，将波长相近的芯片选择在一起；高精度运动平台、双工位设计及定制光斑共同提升转移精度、良率和加工节拍。
- ±0.5μm
- 运动平台重复定位精度
- 40s
- 2 × 2 mm 光斑加工 4 inch
- 5.6s
- 16 × 2 mm 光斑加工 4 inch
- RGB
- 三色一次加工完成
03 · MASS BONDING
激光巨量焊接
采用阵列式光斑降低无效热作用，并将加工范围扩展至大幅面玻璃基板。
阵列光斑精准作用
降低热失配影响
玻璃、蓝宝石、石英等上下基板热膨胀系数不同，且加工时温度不一致。面对尺寸不大于 30 μm 的芯片，阵列式光斑精准作用于芯片，减少无效热作用。
- 芯片尺寸
- ≤ 30 μm
- 玻璃基板
- 上基板 G2.5 / 下基板 G4.5
04 · LASER REPAIR
激光修复
从异常芯片去除、焊盘清洁到选择性补位及点焊接，形成面修补与单点修补组合。去除、清洁、补位、焊接
COC 侧完成坏芯片去除和空缺位补位；背板侧在坏芯片去除后进行焊盘清洁，再完成补位与焊接。
选择性转移补位
| 匹配方式 | 上下基板逻辑算法 |
|---|---|
| 光斑能力 | 尺寸可调 |
| 光斑均匀性 | 可达 95% |
| 效率方式 | 面修补高效率算法 |
面修补方案
选择性转移 + 点焊接
先对空缺位置进行选择性转移，再对补位芯片进行激光点焊接。
单点修补方案
转移焊接一体修复
针对随机缺陷位置，依次完成单颗转移与单颗焊接。
PROCESS CONSULTING
